快速断电安全技术中半导体中性点开关结构性能的研究

中国安全科学学报

快速断电安全技术中半导体中性点开关结构性能的研究

王久和，薛鹏骞，王虹桥，靳文涛

华北科技学院电子信息系

出版日期:2002-06-20

Study on Structure and Property of Semiconductive Neutral Point Switch in Safety Technique of Prompt Interruption

Published:2002-06-20

摘要/Abstract

摘要： 对我国目前半导体中性点开关的结构,工作过程,性能进行了分析;现行中性点开关所存在的问题为电路拓扑结构不合理,关断时间过长或过短,过长不满足快速断电安全技术的要求,过短又易引起过电压,使中性点开关失控.笔者提出了采用绝缘门极双极性晶体管(IGBT),构成半导体中性点开关的可行方案.同时指出,开发新型快速断电安全技术装置,将大大提高我国煤矿安全技术水平.

中图分类号:

王久和，薛鹏骞，王虹桥，靳文涛. 快速断电安全技术中半导体中性点开关结构性能的研究[J]. 中国安全科学学报.

快速断电安全技术中半导体中性点开关结构性能的研究

Study on Structure and Property of Semiconductive Neutral Point Switch in Safety Technique of Prompt Interruption

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